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6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少gan外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
三安在芜湖投资的项目主要从事led外延片、芯片产品的研发与制造，总用地面积2000亩，投资120亿元，分两期四年建设。本次投产的一期项目投资额为66亿元，于去年2月26日开工，目
https://www.alighting.cn/news/2011228/n330230467.htm2011/2/28 20:19:10
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
d芯片3.8亿个，能够同时生产4英寸、6英寸led外延片和大功率、高亮度led芯片，光效超过135lm/
https://www.alighting.cn/news/2011523/n388332196.htm2011/5/23 23:58:41
硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17
长无机zno纳米柱(nanorod)阵列。此技术有别于传统led的外延生长制作方式，不仅方法简单且全程低温，对于未来发展白光光源极具吸引
https://www.alighting.cn/resource/20091113/128752.htm2009/11/13 0:00:00
机发光薄膜上成长无机zno纳米柱（nanorod）数组。此技术有别于传统led的外延制作方式，不仅方法简单且全程低温，对于未来发展白光光源极具吸引
https://www.alighting.cn/resource/20091214/128755.htm2009/12/14 0:00:00
虑到led外延的外形、电气/机械特性和固晶精度等因素.因led有其光学特性，封装时也须考
https://www.alighting.cn/resource/20100412/129028.htm2010/4/12 0:00:00
