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2018年，5大片区，15个城市，78家企事业单位，阿拉丁携手100+名重磅行家，针对led景观照明、汽车照明、植物照明、led光源器件、关键配套材料、智慧照明与物联网科技以及智
https://www.alighting.cn/special/20190102/index.htm2019/1/3 11:31:18
https://www.alighting.cn/news/20190103/159733.htm2019/1/3 14:24:32
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
m附近，与蓝色led的发光峰值相近。为了提高半导体高功率白光led器件发光效率和散热效果，可采用倒装ingan(蓝)芯片结构，以及在芯片周围涂敷荧光粉。为了提高光的均匀性，需要将荧光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
1、倒装（flip chip） 1998年lumileds公司封装出世界上第一个大功率led（1w luxoen器件），使led器件从以前的指示灯应用变成可以替代传统照明的新
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
1923 年，罗塞夫 (lossen.o.w) 在研究半导体 SiC 时有杂质的 p-n 结中有光发射，研制出了发光二极管 (led ： light emitting diod
https://www.alighting.cn/resource/20070123/128809.htm2007/1/23 0:00:00
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC，si)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21193.htm2009/10/14 20:44:55
