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电池供电仍是led 驱动器的主流应用

际上,vout 不可能等于n.vin,因为确保内部电路正确偏置的最小降在于驱动器本身,但是有些制造商声称效率可以高达95%。当分析数据表时,值得注意的是表中的值是最优值。除非输入电

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229865.html2011/7/17 22:47:00

led驱动电路设计(3)led电特性及简单驱动电路

值和降(正向电)为基础,计算led发光中相应电流的电阻值。计算公式如下:  例如,在5v的电源中驱动上述lxm3-pw71。该led的正向电为3.0v,电流为350ma

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229880.html2011/7/17 22:53:00

不同功率led通用照明应选择适合的led驱动电源方案

c,提供800ma峰值电流,还提供过功率保护、内置斜坡补偿及输入欠保护等特性,适用于在通用宽电源输入的应用中提供几瓦至15w的输出功率。除了基于ncp1028的无pfc方案,安森

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229882.html2011/7/17 22:54:00

标准和白光led的基础知识与驱动

d的正向降随着正向电流的增大而增加。假定工作于10ma正向电流的绿光led应该有5v的恒定工作电,那么串接 电阻rv等于(5v-vf,10ma)/10ma=300ω。如数据表中所

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00

gan外延片的主要生长方法

3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液体中携带出蒸汽,与v族的氢化物(如nh3,ph3,ash3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

或低(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

分析el背光驱动工作原理

幅值为50到200vpp的交流电 ,且不使用过多的电子元

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00

外延生长技术概述

为甲基或乙基化合物,如:ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

半导体照明灯具系统设计概述

仅是传统灯具加led发光模块的设计方法,要充分考虑led光学特性,开发led专用灯具。2)电源及控制电路的设计,电源方面要改变目前普遍使用的电容降和阻抗分的应用方式,设计出合理的

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触控面板(touch panel)技术

多的一个技术,电阻式的驱动原理是用电降的方式来找座标轴,由下图可以看出,x轴和y轴各由一对0∼5v的电来驱动,当电阻式触控萤幕被touch到的时候,由于回路被导通,而会产生电降,

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