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学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于Gan（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
时一并做比对。 做成成品后不同高度做跌落实验,（跌落高度供参考：5cm、10cm、15cm、20cm、25cm,）根据型号类别不同进行切割或弯脚、切脚加工等,再进行测试,记录测
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120559.html2010/12/13 23:07:00
他应用9%，第五位是照明5%。第六位是信号产品2%。 相对于美国市场精确的调查数据，目前国内尚未有此方面的调查报告，但led在照明方面的强劲势头可谓锐不可挡，相对于基本饱和的电子数
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
、照明工程中led光源发展史 led(liGhtemittinGdiode)，又称发光二极管，是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端施加正向电压时，半导体中的载流子发生复
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
术的发展。 led实现白光有多种方式，而开发较早、已实现产业化的方式是在led芯片上涂敷荧光粉而实现白光发射。 led采用荧光粉实现白光主要有三种方法，但它们并没有完全成熟，由
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
谱。激发光谱与发射光谱有相似的变化趋势：随着钙含量的增加，激发峰朝长波方向移动，且峰值明显增强。这些改变扩大了该荧光粉的应用范围。根据不同的芯片和应用的需要，可以选择不同的激发和发射
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
状 inGaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的inGaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
业目标是达到年产３００亿只的生产水平，实现超高亮度ａｉｇｓｌｎｐ的ｌｅｄ外延片和芯片的大批量生产，年产１０亿只以上红、橙、黄超高亮度ｌｅｄ管芯，突破ｇａｎ材料的关键技术，实现蓝、绿、
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
共两组，均为共阴极结构）提供恒定电流。在不具备外置电阻器的情况下，电流源默认为出厂时设定，预设电流电平的精度为 ±0.5%（典型值）。可选的外置电阻器可用于设置具有更高精度的用户可编
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120545.html2010/12/13 23:03:00
n芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚，反应气体对设备具有腐蚀性，影响Gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
