检索首页
阿拉丁已为您找到约 45764条相关结果 (用时 0.2616563 秒)

el显示(薄膜型电致发光显示)技术

后,仍能继续正常使用。得益于el显示器的固态结构特征,其工作温度可以达到惊人的-50摄氏度到+85摄氏度。不同于其他类型的显示技术,无需预热也无需昂贵的大功率加热器,el显示器在

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00

led芯片的制造工艺简介

合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

底杂质浓度。若生长温度降低,则外延层的载流子浓度也随之下降;提高as/ga比,则有可能引起材料的导电类型从P型转向n型。(3)、金属有机物和ash3的纯度反应物质的纯度将严重地限制

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

氮化镓衬底及其生产技术

晶,向4-6英?挤较蚍⒄梗?以及降低杂质污染和提高表面抛光质量。3)sic衬底除了al2o3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是sic,它在市场上的占有率位居第二,目前还未有第三种衬

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

gan外延片的主要生长方法

质分别为tmga、tega、tmin、tmal、Ph3与ash3。通过掺si或掺 te以及掺mg或掺zn生长n型与P型薄膜材料。对于ingaalP薄膜材料生长,所选用的iii族元

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

led外延片(衬底材料)介绍

石al2o3和碳化硅sic衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00

led与太阳能结合的照明技术

生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴,在内建静电场的作用下,各自向相反方向运动,离开势垒区,结果使P区电势升高,n区电势降低,从而在外电路中

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00

我国半导体照明应用现状

屏手机,以及高像素拍照手机、大屏幕音影手机、多功能3g手机的盛行,预计每部手机所需led颗数高达12-18颗。因此,预计未来几年国内生产的手机所需led颗数高达60亿颗左右。国内封

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00

led的封装技术

形树脂透镜,可使光集中到led的轴线方向,相应的视角较小;如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型,其相应视角将增大。一般情况下,led的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

led光源的道路灯具的设计要点

为50%。也因为上述原因,目前我国次干道的照明效果(路面照度和照度的均匀度)基本都达不到cjj45-2006和cie31以及cie115标准的要求。2.目前采用led光源的道路灯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229927.html2011/7/17 23:20:00

首页 上一页 2245 2246 2247 2248 2249 2250 2251 2252 下一页