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侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
让成本下降、使技术成熟是整个产业链的事。led产业链的上、中、下游分别为外延材料与芯片加工、产品器件与模块封装、显示与照明应用。led外延片与芯片约占行业70%的利润，led封
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279540.html2012/6/20 23:07:29
期寿命试验，目前的做法基本上形成如下共识：因GaN基的led器件开始的输出光功率不稳定，所以按美国assist联盟规定，需要电老化1000小时后，测得的光功率或光通量为初始值。之后
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
预期2013年整并潮过后，外延产业将逐步回归正向发展，至2014年仍存活的外延厂，获利则可望显着攀升。
https://www.alighting.cn/news/20121212/n744146783.htm2012/12/12 9:09:10
0%左右,对led 产业极为重要。上游磊晶制程顺序为：单芯片(iii-v族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。中游厂商就是将这些芯片加以切割,形成为上万个晶粒。依照芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/resource/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
正装结构和垂直结构的芯片是GaN与荧光粉和硅胶接触，而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。GaN的折射率约为2.4，蓝宝石折射率为1.8，荧光粉折射率为1.
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对GaN材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
中村修二教授的报告题目名为“recent advances in nonpolar and semipolar GaN for blue and green lase
https://www.alighting.cn/news/20121226/n474247336.htm2012/12/26 9:46:47
上世纪末，半导体照明开始出现并快速发展，其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备，而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。就GaN基材料
https://www.alighting.cn/news/2014729/n156664358.htm2014/7/29 10:18:51
