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led外延生长工艺概述

伸长出的高纯度硅元素晶柱 (crystal ingot)上,所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶:砷化??磊晶依制程的不同,可分为lpe(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相

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外延生长技术概述

g或掺zn生长n型与p型薄膜材料。对于ingaalp薄膜材料生长,所选用的iii族元素流量通常为(1-5)×10-5克分子,v族元素的流量为(1-2)×10-3克分子。为获得合适的

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

之而来的是各种结构的量子阱光电器件很快从实验室进入商用化。金属有机化学汽相淀积(mocvd)是在汽相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型汽相外延生长技术。它采用ⅲ族、ⅱ族元

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gan外延片的主要生长方法

质分别为tmga、tega、tmin、tmal、ph3与ash3。通过掺si或掺 te以及掺mg或掺zn生长n型与p型薄膜材料。对于ingaalp薄膜材料生长,所选用的iii族元

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led是如何产生有色光的

结压降为2.261v,发出的光线为绿光。基於这两种材料,早期 led工业运用gaas1-xpx材??结构,理论上可以生?a从红外光一直到绿光范围内任何波长的led,下标x代表磷元

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解析led光谱技术,挑战超高亮度led产品

磊晶技术迅速发展之下,经由选择高纯度的单晶原料,再由适当温度控制及精确地掌握各组成元素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素

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led辞典

件,材料使用iii- v族化学元素(如:磷化镓(gap)、砷化镓(gaas)等),发光原理是将电能转换为光,也就是对化合物半导体施加电流,透过电子与电洞的结合,过剩的 能量会以

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新一批照明电器产品国家标准近期实施

-2010灯用稀土三基色荧光粉gb/t 14633-20022010-08-092011-05-016gb/t 14634.1-2010灯用稀土三基色荧光粉试验方法 第1部分:相对亮

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简约到极致的浪漫 用铁丝做灯罩的灯具

丝灯罩元素,让整个灯饰从头到尾都有一种镂空感,美感十

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[转载]享受顶级奢华汉斯格雅--普拉达全新感性浴室(图)

达的设计语言以及双色表面技术(dualfinish)以最细节化的表现方式将龙头呈现在客户面前。纯白与铬金属的华美融合在一起,所有的元素和谐融合,相得益彰。 相关产品:卫浴、洁具

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