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可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与热沉芯片（硅、铜、氮化镓（gan）、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
s），genelite，欧司朗（osram），gelcore，首尔半导体等，普瑞，韩国安萤（epivalley）等。1、cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
、 晶片对白光led光衰的影响 从目前实验的结果来看，晶片对光衰的影响分为两大类：第一是晶片的材质不同导致衰减不同，目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石，碳化硅一般结
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222032.html2011/6/19 22:47:00
s)，genelite,欧司朗(osram)，gelcore,首尔半导体等，普瑞，韩国安萤(epivalley)等。1、cree 着名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
从蓝宝石或碳化硅衬底向硅衬底的转移，这一新的方式正受到业内许多主要制造商的支持，虽然成功程度不一。 2012年英国国际led展览会(euroled)发言人：led制造商普瑞光
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
利，比较重要。 衬底领域的专利25%集中在蓝宝石，其次为砷化镓(17%)、硅(16%)、氮化镓(10%)、碳化硅(7%)等，这和目前全球led市场gan生长主要采用蓝宝石衬底的产业状
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/11/1/295801.html2012/11/1 23:31:07
能的晋升添砖加瓦。 一、 晶片对于白光led光衰的反应 从眼前试验的后果来看，晶片对于光衰的反应分成两大类：第一是晶片的材料没有同招致衰减没有同，眼前罕用的蓝光晶片衬底材料为碳化
http://blog.alighting.cn/159060/archive/2013/1/20/308130.html2013/1/20 19:12:14
价道：“它打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国 cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。”这意味着，江
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315434.html2013/4/24 15:59:37
出射;二是运用碳化硅衬底进步器材散热，三是运用氮化镓同质衬底制备极低缺点的高质量晶体，进步led的发光功率。 无极灯当前国内半导体照明资料的首要疑问有：一是中心专利技能缺少，国内大
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/13/323399.html2013/8/13 15:08:07
型决定着下游产业链的应用范畴能否得到扩展。庄德津博士领衔的团队研发的氮化镓衬底，与目前普遍使用的蓝宝石衬底、碳化硅衬底相比更具优势。以它为原料加工的led芯片在居民照明领域具有极
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/8/15/323613.html2013/8/15 16:23:13
