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因。目前，先进的材料生长与元件制造工艺已能使led极大多数输入电能转换成光辐射能，然而由于led芯片材料与周围介质相比，具有大得多的折射係数，致使芯片内部产生的极大部分光子（90
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
n缓冲层→生长n型gan→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长p型aigan层→生长p型gan层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
“万物生长靠太阳”，光照是作物进行光合作用的必备要素之一，光照条件的好坏直接影响作物的产量和品质。自然界中，太阳的光照度随地理纬度、季节和天气状况的不同而变化。温室内的光照度除
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120855.html2010/12/14 21:42:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷，其大部分的是线性位错，器件工作时，接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区，从而形成低阻欧姆通道，造成led结特性退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition，简称mocvd)技术生长iii-v族，ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
构能有效地把光提取出来。最流行的做法是使用周期或准周期性的浅盲孔阵列来形成一个二维光子晶体栅格。 研究显示，采用了刻蚀光子晶格的led与未做表面处理的对照相比，表面亮度能加倍，并
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
3） ·硅 (si) 碳化硅（sic）[/url] 蓝宝石衬底 通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gan层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
动 (正弦) gb/t2829-2002周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验) gb4208-1993外壳防护等级(ip代码) gb5080.7-86设备可靠
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120494.html2010/12/13 22:32:00
