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化温度之上,此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应,若使用较大的功率来融化复晶硅,石英坩锅的寿命会降低,反之功率太低则融化的过程费时太久,影响整体的产能。 2、颈部成
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
t8的灯管灯管还是封闭的,灯芯只能依靠空气对流传热到灯管背面的铝管上进行散热。一般这类灯的内部温度都会有七八十度。并且要是兼顾散热,重量又是问题;兼顾重量,散热难以保证,这在现有设
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/9/17/97497.html2010/9/17 14:57:00
灯不能发挥出性能,甚至不能正常使用。下面就做一些建议,供大家参考。 1、为什么一定要恒流: led半导体的特性决定其受环境影响较大。譬如温度变化升高,led的电流增加,电
http://blog.alighting.cn/mixseven/archive/2010/10/19/108923.html2010/10/19 15:32:00
冷地区的推广应用,需解决以下几个方面的关键技术问题。 一、冷热冲击的温度变化可能引起led器件的失效 由于led芯片封装后,属于固态的实心器件,存在着芯片、硅胶(或树
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/12/8/118984.html2010/12/8 13:38:00
d在过波锋炉时能承受的时间和温度是有限的。 世界一流的led也只能承受3秒到5秒的高温冲击, 波锋浸锡温度还不能超过260度。 而经常灯不亮和亮度不够的情况其一可能是vf, i
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120528.html2010/12/13 22:57:00
、基于flip chip的大功率led热分析 我们知道,表征系统热性能的一个主要参数是系统的热阻。热阻的定义为:在热平衡的条件下,两规定点(或区域)温度差与产生这两点温度差的热耗
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
u)的界面极其脆弱。合金的热膨胀系数远大于gan,在高电流密度下的温度在较高处时,其接口应力会迅速上升。尤其在启动led的瞬间电流自接口电阻最低处汇流时,可能会产生爆点。除此之外, ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
术问题。 一、冷热冲击的温度变化可能引起led器件的失效 由于led芯片封装后,属于固态的实心器件,存在着芯片、硅胶(或树脂)、金属支架以及引线之间膨胀系数的失配现象,加上寒
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127019.html2011/1/12 16:32:00
0nm之间,仅仅是电磁辐射光谱非常小的一部份。温度远远高于50hz工作时的温度,从而产生更高色温的白色色表和更好的显色性。 ·光通量φ 单位:流明[lm]光源发射并被人的眼睛接
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/1/25/128786.html2011/1/25 11:22:00
d在正向偏置时发光。为保证显示质量,需要采用恒流驱动器来补偿led电压降及温度变化的影响,从而确保稳定的光输出。 与ccfl不同,led背光不需要很高的交流电压,因此也就不
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133820.html2011/2/19 23:14:00