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力都放在寻找晶格失配较小的衬底上,si衬底的使用并未引起人们太多兴趣,随着许多技术和观念上的突破,si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
进的白色led驱动器,它可通过mpu对电流进行控制,并集成了无源元件,从而节约了成本。linear公司推出片上集成肖特基二极管的白色led驱动器,这样,驱动电路只需两个外部电容器、一
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
成一个单元,硅基片的底面为稳压二极管的p区,n区通过铝导电反光层与每组led的正、负极分别连接在一起,通过合金工艺实现欧姆接触。smd电容c1,c2,c3和二极管d1设计在外围区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
量将被转移到led,只在肖特基二极管上有一些损耗。储存在电感中的能量为: eq1 系统可以以连续或非连续模式工作,两者之间的差别及对平均电流的影响将在后面部分中解释。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
衡方程进行新一轮计算,直到满足计算精度为止。 2计算结果和分析 本文以直径为10cm的圆形单晶硅太阳电池为例,对不同串联内阻和换热系数下的太阳电池输出特性和工作温度进行了数
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
1)。 3材料选用 3.1陶瓷盖 led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134090.html2011/2/20 22:12:00
池工作寿命仅仅1~2年。因此,1w以下的小功率太阳能草坪灯,在没有过高寿命要求的情况下,可以使用滴胶封装形式,对于使用年限有规定的太阳能灯,建议使用层压的封装形式。另外,有一种硅凝
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134088.html2011/2/20 22:11:00
性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
展。近来,采用最近采用非晶硅(a-si)tft为阵列的am oled开发有突破性的发展,有助于oled产业的推展。若能结合oled业者在镀膜技术、oled封装技术及模块技术上的专长以
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133843.html2011/2/19 23:26:00