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韩国成功开发各种色调的led技术

1纳米等于10亿分之一米)以下的半导体,也获得了成功。该研究结果刊登在材料科学领域的世界级学术杂志《斯特在李洱蒂尔默斯》的1日刊封面论文上。 赵教授指出:“不使用荧光物质制作出多样波

  http://blog.alighting.cn/228/archive/2011/12/15/257969.html2011/12/15 11:35:16

更薄更鲜明,可以开发各种色调的led技术

1纳米等于10亿分之一米)以下的半导体,也获得了成功。该研究结果刊登在材料科学领域的世界级学术杂志《斯特在李洱蒂尔默斯》的1日刊封面论文上。 赵教授指出:“不使用荧光物质制作出多样波

  http://blog.alighting.cn/ledpop/archive/2011/12/15/257972.html2011/12/15 12:15:45

大功率led关键技术mocvd最新进展

 通过采用更大的晶圆尺寸改善产率(4英寸和6英寸)所有led(蓝、绿或白光的led)的主要部分是以gan/ingan/algan材料为基矗到目前为止,大部分led都是在2英寸蓝宝石衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00

未来新星 浅谈oled显示技术

小尺寸显示,其产业前景正受到世界各国的普遍关注。 oled 显示技术在过去 10 多年的时间里取得了巨大的进展。目前荧光小分子器件发光效率已经超过 16 lm/w ;而磷光小分子器

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134178.html2011/2/20 23:22:00

gan外延片的主要生长方法

制的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

外延生长技术概述

光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

谁与争锋

从事灯饰照明10

  http://blog.alighting.cn/qjunboy/2008/4/17 15:39:44

oled显示技术近期进展及赶超机遇

家的极大关注。特别是最近10年里,oled技术取得了显著的进展,从2英寸的产品到40英寸的样品均在陆续推出。与液晶显示器(lcd)相比,oled具有全固态、自发光、宽视角、高清晰、高亮

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133832.html2011/2/19 23:20:00

[原创]美国ast4700高精度系列压力传感器

期: 10 million工作温度:-40 to 85°c (-40 to 185°f)储存温度:-40 to 125°c (-40 to 250°f)产品的应用:测试台?电力和水力工

  http://blog.alighting.cn/automt/archive/2011/2/23/135081.html2011/2/23 9:14:00

oled显示技术近期进展及赶超机遇

家的极大关注。特别是最近10年里,oled技术取得了显著的进展,从2英寸的产品到40英寸的样品均在陆续推出。与液晶显示器(lcd)相比,oled具有全固态、自发光、宽视角、高清晰、高亮

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230286.html2011/7/19 23:41:00

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