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0～500米。3、fl4800防爆方位灯全密性工艺设计，水下工作深度可达100米。4、fl4800防爆方位灯以美国防弹胶材料精制，确保产品能经受强力碰撞和冲击。5、fl4800防爆方位
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230001.html2011/7/18 14:22:00
级 ip65 7、防腐等级 wf2 四、Sfay6010系列防水防尘防腐全塑荧光灯应急装置参数 1、应急起动时间0.3S 2、充电时间24h 3、应急照明时间90分钟 五、外形及安装举
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/229994.html2011/7/18 14:11:00
护起来。在pcb板上点胶,对固化后胶体形状有严格要求,这直接关?S到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点萤光粉(白光led)的任务。e、焊接：如果背光源是采用Smd-led或其他
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229973.html2011/7/17 23:42:00
成led死灯。4.主波长分档：对于单色光led来说,主波长是衡量其色参数的重要指标,主波长直接反映人眼对led的光的视觉感受。5. 显色指数分档：显色指数直接关?S到光照射到物
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229969.html2011/7/17 23:40:00
动操作为主；自动化程度高、技术相对成熟、实际产量达500k/月以上的内资厂屈指可数。3、产品品种百花齐放,没有形成标准化的、公认的主流产品。4、专业技术人才缺乏,研发进展慢,产品设
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229963.html2011/7/17 23:38:00
g荧光粉,芯片的蓝色光激发荧光粉发出典型值为500～560 nm 的黄绿光,黄绿光与蓝色光合成白光。该方法制备相对简单,效率高,具有实用性。缺点是布胶量一致性较差、荧光粉易沉淀导致出
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为mocvd技术是以in有机源为金属源,以n2作为载气,nh3作为氮源,通过二步制程或其它手段在低温500℃左右进行inn生长。mocvd的生长速度适中,可以比较精确地控制外延薄
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度,经10-15S就使暴露在元件体外的贴片胶迅速固化,同时炉内继续保持150-140℃温度约1min,就可使元件下?i的胶固化透。针头转移法的使用不到全部应用的10%,它是使用针
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229945.html2011/7/17 23:28:00
](1)、生长速率mocvd生长过程是由三甲基镓(tmg)扩散到衬底来控制,而不是表面动力学反应。在富砷条件下,其生长速率只取决于tmg压力,而与砷气压无关；而且在生长温度等于50
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与led的色彩没有关?S。单管的发光强度从几个mcd到5000mcd不等。led生?a厂商所给出的发光强度指led在20ma电流下点亮,最佳视角上及中心位置上发光强度最大的点。封
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