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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

转,从而大大改进了生长的均匀性。主要是参照了卤化物、氢化物汽相外延技术的研究成果,将外延生长控制在质量输运条件下来进行,控制气流为层流,保持稳定的边界层。为此采用了高流速、减压、旋转基

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

静电在led显示屏生产过程中的危害及防护措施

大,例如焊锡的不饱满,焊锡本身质量存在问题等等,都会产生严重的泄漏路径,从而造成毁灭性的破坏。另一种故障是由于节点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时所引起的。静电的脉冲能量可

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00

rgb与白光led存亡之战

时单独控制,虽然可以直接控制,混色也不错,但是要达到混的白光相当纯正是一大问题,虽然造价贵,但相对来说质量也比较好,至于 白光led灯来说,虽然造价便宜,可以直接取代ccfl,成

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分析el背光驱动工作原理

2(el灯的质量越好电容特性越小)。电阻阻值通常是50到 15000kohm/in2。同一个el驱动电路的最大驱动面积和驱动亮度会因不同的el灯片而有较大差别。 el灯片的发光亮

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外延生长技术概述

能一次生产1片2英寸外延片,但其外延片质量很高。目前高档产品主要由这些设备生产,不过这些设备一般不出售。1)ingaalp四元系ingaalp化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

半导体照明灯具系统设计概述

度,却失去了led应有的寿命。因此在半导体照明灯具设计上慎选led,应使用大功率led作为照明设备光源。6)提高光通量、降低价格目前单个1w的led器件,光通量约为25 lm,质

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00

led作背光源的技术现状

商将led led背光模块搭配在46英寸以上大尺英寸高端机型,强调画面质量与对比度,但都是以非常高的售价,主攻顶级的消费者。根据witsview针对北美电视市场调查研究显示,目

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229965.html2011/7/17 23:39:00

背光源(backlight)的起源发展及分类

类:lcd为非发光性的显示装置,须要藉助背光源才能达到显示的功能。背光源性能的好坏除了会直接影响lcd显像质量外,背光源的成本占lcd模块的3-5%,所消耗的电力更占模块的75

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229972.html2011/7/17 23:42:00

led照明灯发展概况

庭常用的白炽灯、节能荧光灯与相同亮度的白光led灯的价格比较目前1w白光led的单价是8~10元,3w的单价是20~25元(与led的质量及品牌有关),另外还要驱动电路及结构件。

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230082.html2011/7/18 23:23:00

led技术标准和检测方法

展。led照明器具技术标准和测试方法的建立,也将会促进半导体技术的进步,对led照明产品的生产和质量的提高,缩短我国与国际水平的差距,具有极其重要的现实意义和深远的历史意义,将会产生巨

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