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外乎是单层的ｉｎｇａｎ／ｇａｎ量子井ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ或是多层的量子井ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ，而尽管制造ｌｅｄ的技术一直在进步但其发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
级lif/al/lif/ al 量子阱[4]阴极结合起来，以及对其它结构如alq3/al，alq3/lif/al和 alq3/al/lif/al等，人们也有相当多的研究。众所周知，基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
小。 （2）温度升高，势阱中电子与空穴的辐射复合几率降低，造成非辐射复合（产生热量），从而降低led的内量子效率。 （3）温度升高导致芯片的蓝光波峰向长波方向偏移，使芯
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新台阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
层的ｉｎｇａｎ／ｇａｎ量子井ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ或是多层的量子井ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ，而尽管制造ｌｅｄ的技术一直在进步但其发光层
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
年，铝酸盐荧光粉仍然是led产业最常用的化合物体系，包括yag、luag和tag等衍生化合物。led用铝酸盐荧光粉，其中以yag荧光粉最为典型，这种荧光粉目前最高的实测外量子效率接近
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317945.html2013/5/25 12:45:18
康护理产品、贮存盒、箱包及皮革制品、DIY产品等。 ※食品及饮品类：稻米、面制品、腌制品、乳、蛋制品、水果、蔬菜、干果、香料、调味品、冷冻食品、果汁饮料、酒类、茶叶、茶饮料、牛奶
http://blog.alighting.cn/lindajiacheng/archive/2008/12/3/1813.html2008/12/3 13:15:00
