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概述 反激型led驱动器比较通用，因为该结构可以用于输入电压高于或低于所要求的输出电压。此外，当反激电路工作在非连续电感电流模式时，能够保持led电流恒定，无需额外的控制回
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
场。 3.１、ｌｅｄ芯片 芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效率的高低直接影响到ｌｅｄ的发光效能，非辐射复合率则决定着芯片产热的大小。可以说只有制造出具有良好质量的ｌｅｄ芯片，才可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134144.html2011/2/20 23:06:00
本文讨论的简单电路能够调节高亮度led的驱动电流，该电路采用非定制、高度集成的降压型开关调节器(max5035)，能够准确地控制流过led的电流。max5035 dc/dc转换
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134143.html2011/2/20 23:05:00
该模块还利用码分多址技术进行数据编码解码，最多可提供531 441（312）个地址码，可以彻底消除任何码址冲突和非授权编码数据的干扰。 1.3 图像点阵抽取和移动算法 图像点
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134135.html2011/2/20 23:01:00
答。 半导体led 的发光率取决于下面两者之间的平衡，一是作为光源的电洞和电子的发光（发光再结合的寿命），一是由于缺陷不能产生光最终转化成热（非发光再结合的寿命）。当前者短，后
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
源层中剩余的mg－h络合物分解，p型层有效离化受主浓度增加，led发光强度增加；在第二阶段，施主缺陷n空位的形成占优势，使得受主浓度降低，而且这种缺陷增加了非辐射复合的可能性，从
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
、氢化物汽相外延（hvpe）[6] 等。 2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技术，它依赖于源气体传输过程和随后的ⅲ族烷基化合物与ⅴ族氢化物的热裂解反应。组分和生长速率均
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
5 lmw。citizen公司采用nichia公司的白色led裸片开发出迄今为止世界上最小的白色led，其厚度为0．55 mm。nichia公司的非smd型白色led的尺寸为11．
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
势。 第二章 mocvd之原理 ｍｏｃｖｄ反应为一非平衡状态下成长机制，其原理为利用有机金属化学气相沉积法ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏ
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
间led的电流为零，这称为“非连续”工作模式。 如果经过1.7μs后电流没有达到零，而是下降到imin，则称器件进入“连续”工作模式。led电流将在imin与ipeak之间上
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