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管外量子效率不高的原因很大程度上在于氮化物外延层和空气的反射系数差异较大导致的全反射问题。根据报道， gan 和空气的反射系数分别是 2.5 和 1 。因此在 ingan-ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
六、led制造装备（封装设备）发展现状分析a)上、中游的外延生产及芯片制造设备行业： 全球有近200家公司和300多所大学以及研究机构从事氮化镓基led的材料生长、器件制作工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143104.html2011/3/16 21:36:00
片的发展 目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
自从1968年第一批led开始进入市场以来,至今已有30多年。随着新材料的开发和工艺的改进，led趋于高亮化和全色化。氮化镓基底的蓝色led的出现，更是扩展了led的应用领域。目
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165435.html2011/4/14 22:01:00
硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
0年的1200亿颗增长到1650亿颗，增长超过40%;而到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力道，维持向上格局。imsresearch的预估，2011
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222070.html2011/6/19 23:06:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
式整流器，它也能够应用于交流环境，非常具有弹性。在高压发光二极体中，外部整流器舍弃ac led采用同质氮化镓的做法而改采用硅整流器，不仅使得耗能少，更可防止逆向偏压过大对晶片所造
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00
期很顺利走向垄断蓝光led市场之路。如同风云中的雄霸一般,野心想独吞天下,成也风云,败也风云。举个实际的发生例子而言,当1998年竞争对手丰田合成(toyoda gosei)的氮化
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229907.html2011/7/17 23:08:00
