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2） 切换瞬变：如主电源系统切换时（例如补偿电容组的切换）产生的干扰；又如同一电网中，在靠近设备附近有一些较大型的开关在跳动时所形成的干扰；再如切换有谐振线路的可控硅设备；还如各种系
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46346.html2010/5/27 10:34:00
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46321.html2010/5/27 10:18:00
近日，日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗（ge）量子点的硅发光元件。
https://www.alighting.cn/news/20100526/105710.htm2010/5/26 0:00:00
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
明和配有v（λ）滤光片的硅光电二极管安装和调试在光具座上，特别是严格地调灯丝位置，ｌｅｄ发光部位及接受面位置。先用光强标准灯校准硅光电二极管，ｃ＝e/s式中ｅｓ＝is/(d2s)ｄ
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/25/46122.html2010/5/25 23:23:00
n kingray laser equipment co., ltd地址：深圳市宝安区西乡街道凤凰岗宝运达科技园2栋2楼联系人：罗建林电话：+86-0755-29566096手
http://blog.alighting.cn/laser99/archive/2010/5/25/46105.html2010/5/25 17:13:00
led产业投资是否过热？会不会像前些年多晶硅投资一样产能过剩？《浙商》记者就此专访了中国照明学会顾问、浙江省照明学会名誉理事长、浙江大学光电信息工程系博导叶关荣教授。
https://www.alighting.cn/news/20100524/85917.htm2010/5/24 0:00:00
镓（ingan ）led电容（capacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型gan薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
全球第三大玻璃展，亚洲玻璃业最大的行业盛会---第二十一届中国国际玻璃技术展览会(china glass 2010，亦称“中国玻璃展”。)将于6月4日至7日在北京举行。宝创科技
http://blog.alighting.cn/polytron/archive/2010/5/20/45004.html2010/5/20 10:26:00
在2010中国led显示产业高峰论坛暨2009年度led行业评选颁奖典礼上，江西晶能光电公司凭藉硅衬底功率型蓝光led芯片荣获「2009年度中国led技术创新奖」。
https://www.alighting.cn/news/20100519/105866.htm2010/5/19 0:00:00
