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功率型led的封装技术

n led”其结构如图3 所示,根据报导,该封装结构的特点是采用热电分离的形式,将倒装芯片用硅载体直接焊接在热沉上,并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材料,具有较高的取

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led背光与无彩色滤光片技术

如等离子(plasma display panel,pdp)、有机发光二极管(organic light emitting iode,OLED),甚至是场发射式显示器(fiel

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00

发光二极管封装结构及技术

取光和热沉 优化设计,改进光学性能,加速表面贴装化smd进程更是产业界研发的主 流方向。3 产品封装结构类型自上世纪九十年代以来,led芯片及材料制作技术的研发取得多项突破,透明衬底梯

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

盟rohs指令的要求。输入电压通常为12 vdc,对于电池驱动的便携式应用和车载应用,某些型号el显示器还支持很宽的输入电压范围。只有el显示技术能够提供透明显示,或切割为曲线形状。通

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led背光与无彩色滤光片技术

如等离子(plasma display panel,pdp)、有机发光二极管(organic light emitting iode,OLED),甚至是场发射式显示器(fiel

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led芯片的制造工艺简介

过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。led芯片的制造工艺流程:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2沉积

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led的封装技术

d进程更是产业界研发的主流方向。3 产品封装结构类型自上世纪九十年代以来,led芯片及材料制作技术的研发取得多项突破,透明衬底梯形结构、纹理表面结构、芯片倒装结构,商品化的超高亮

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

led显示器件发展简史

亮的材料应是透明基底alingap。在1991年至2001年期间,材料技术、裸片尺寸和外形方面的进一步发展使商用化led的光通量提高了将近20倍。对高强度蓝光led的不断研发产生了好几

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喷墨技术驱动低成本薄型导光板成真

部嵌入式的白色发光二极体(led)等点光源镜片,将线光源变成折射性的面光源,从而使得液晶应募整体变成会发光的元件。过去,这项技术是利用透过微镜片和透明树脂材料所组成的射出成型技

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基于tps65137设计的有源矩阵OLED电源技术

本文介绍了tps65137主要特性,方框图以及典型应用电路。ti 公司的tps65137 是有源矩阵 OLED (amOLED)电源解决方案,包括一个采用ldo作为后稳压器的升

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