检索首页
阿拉丁已为您找到约 5650条相关结果 (用时 0.0103972 秒)

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

硅衬底led芯片主要制造工艺

性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,sic同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此si衬

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

sdk研究led晶体生长新工艺:混合ppd工艺有望突破亮度极限

为了满足日益增长的市场需求,昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(gan)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺,主要用于蓝色和白色发光二极管(led)。

  https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00

30w/50w 免驱动倒装dob模组——2018神灯奖申报技术

30w/50w 免驱动倒装dob模组,为深圳合作照明有限公司2018神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180329/155993.htm2018/3/29 11:27:29

倒装rgb跑马灯cob——2019神灯奖申报技术

倒装rgb跑马灯cob,为广东金光原照明科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190218/160366.htm2019/2/18 17:30:08

led生产工艺简介

一、生产工艺1.工艺:a)清洗:采用超声波清洗pcb或led支架,并烘干。 b)装架:在led管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺晶台

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00

lamp-led封装工艺流程图

本资料详细的描绘了lamp-led封装工艺的流程,推荐下载了解。

  https://www.alighting.cn/resource/20110903/127206.htm2011/9/3 17:50:21

首页 上一页 21 22 23 24 25 26 27 28 下一页