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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45

2010年中国半导体照明品牌路线发展研究报告

点的势能品牌模式;第八章品牌内生势能——内观品牌形象传播体系构建;第九章品牌成长势能——中观品牌六觉传播体系构建;第十章品牌外延势能——外观品牌公关传播体系构

  https://www.alighting.cn/resource/2011/2/12/112257_38.htm2011/2/12 11:22:57

氮化镓(gan)衬底及其生产技术

用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓体单晶材

  https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56

mocvd生长gan基蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

【专业术语】外延生长(epitaxial growth)

外延片生长是指:在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。

  https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06

gan材料的特性与应用,gan发展历程及前景概要

本文就“gan材料的特性与应用,gan是什么?”做了简要的分析概述,以飨读者;

  https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00

led外延片的生长工艺概述

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20101207/128146.htm2010/12/7 13:53:39

led相关技术专利情况

led行业是一个高进入壁垒的行业,这里指的是上游芯片和外延片,该环节目前占到了整个产业链产值的70% 。也正是因为如此,才有了led专利壁垒的形成。

  https://www.alighting.cn/resource/20101207/128148.htm2010/12/7 13:25:40

led芯片的组成与分类

led芯片的组成材料有哪些?分类怎样呢?此文做了简单的介绍;

  https://www.alighting.cn/resource/20101202/128155.htm2010/12/2 16:24:33

led芯片及封装设计生产最新研究动态(2010.11)

总结了led芯片及封装设计生产最新研究动态,分享给大家;

  https://www.alighting.cn/resource/20101130/128175.htm2010/11/30 11:02:36

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