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bridgelux募集6000万美元用于GaN外延技术研发

bridgelux新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。

  https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54

si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

市场回稳 广正式取消无薪假

广2011年10月因应led市场低迷,宣布实施无薪假,公司表示,由于市场逐步回稳,2012年元月初便取消无薪假,产线员工恢复正常上班。

  https://www.alighting.cn/news/20120217/115580.htm2012/2/17 9:46:32

晶电购入广防范中韩外延厂夹击

全球高亮度led今年产能供过于求,旺季不旺疑虑未减,但国内led外延龙头晶电仍看好明年照明爆发力可期,9日下午宣布,将透过股份转换方式100%并购广,换股比例为广普通股4.8

  https://www.alighting.cn/news/20120813/113087.htm2012/8/13 12:06:35

量子点和GaN成十二届movpe会议热点

在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上, GaN基材料和器件成为讨论的热点。

  https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00

中山大学采用delta掺杂技术提高氮化物led的抗静电能力

delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下,通过选择性打开或者关闭三甲基和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后,led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上,而

  https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53

晶电欲并购广 台湾led产业进行大洗牌

我国台湾地区最大发光二极管(led)外延厂商晶元光电正发动新一波并购行动,计划并购第二大led外延厂广,以舒缓产能不足的窘境。

  https://www.alighting.cn/news/20090507/118460.htm2009/5/7 0:00:00

研究发现:这种方法能够提高基于铝氮 led 的效率

据报道,基于铝氮(alGaN)的深紫外led因在杀菌消毒、水净化、光疗和不依赖太阳光的高速光通信领域的潜在应用而备受研究者的关注。

  https://www.alighting.cn/news/20190715/163506.htm2019/7/15 9:57:55

陶氏化学于韩国天安设的三甲基新厂动工兴建

美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布,其位于南韩天安(cheonan)的三甲基(tmg)新厂已

  https://www.alighting.cn/news/20101105/117936.htm2010/11/5 9:56:31

led需求大增 三菱化学扩大GaN基板产能

现在正在进行扩建施工,新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN基板的原因是,用于照明和汽车头灯等的高功率led的需求扩大。

  https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53

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