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氮化鎵-mocvd深紫外LED材料生长设备」在青岛研制成功

中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-mocvd深紫外LED材料生长设备」制造取得重大突破,研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片LED外延

  https://www.alighting.cn/news/20080414/93175.htm2008/4/14 0:00:00

中微半导体将发布mocvd 首次进入LED照明市场

中微半导体设备(上海)有限公司将于下周正式发布多反应器金属有机化合物气相沉积设备(mocvd),并首次进入半导体照明市场。

  https://www.alighting.cn/news/20130314/112244.htm2013/3/14 10:47:33

中国梦的中国芯:晶能光电硅衬底大功率LED芯片

晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05

科锐詹姆斯:以专注改革LED技术赢得资本

科锐战略与业务发展副总裁詹姆斯一再强调科锐具有极其独立的创业精神和企业文化,公司的技术路线始终没有受到过外界影响,“如果一个企业为了赢得政府支持而改变,这种做法是非常愚蠢的”。他说

  https://www.alighting.cn/news/20110818/86231.htm2011/8/18 11:11:28

氮化基高亮度 LED核心专利与分析

  https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00

LED厂商隆达广本季挂牌上市

友达集团旗下的隆达及晶电集团的广等2家LED厂都将在本季挂牌,隆达预计8月底挂牌,广则计划在9月挂牌。

  https://www.alighting.cn/news/2011810/n465933792.htm2011/8/10 8:35:54

一种能提高LED发光材料质量的新技术

研究人员介绍,通过该技术,相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能,对于低电能输入和紫外发光范围的LED而言,这种增长非常可观。

  https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123078.htm2011/2/11 13:28:54

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

浅析:LED外延片介绍及质量辨别

良品的外延片就要开始做电极(p极,n极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成LED晶片(方片)。然后还要进行目测,

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56

助力uv-c LED器件开发,欧司朗与hexatech签战略协议

h的知识产权(ip)许可,其中,前者涉及作为hexatech公司2英寸(直径)基板开发项目的直接支持的氮化铝(aln)基

  https://www.alighting.cn/pingce/20170220/148268.htm2017/2/20 9:34:49

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