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cob封装对led光学性能影响的研究

、光效和色温的影响。研究首先介绍cob封装的结构、优点及其实用性,然后分析影响led光学性能的因素,最后进行测试。在实验过程中,发现cob封装结构除了具有保护芯片的功能外,还可以提

  https://www.alighting.cn/resource/20130806/125417.htm2013/8/6 16:47:55

一种直下式led背光源的设计方案

作。进行了详细的阐述。测试结果为中心亮度11,230nits、整体功耗178w 、均匀度96.26%、色彩还原性达到ntsc标准的128.15%.远远超过了ccfl背光源的70%

  https://www.alighting.cn/resource/20130802/125425.htm2013/8/2 11:49:36

led芯片及器件的分选测试

本文主要介绍led芯片及器件的分选测试,led的分选有两种方法:一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的led进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50

半导体照明标准和测试方法简介

一份出自杭州远方光电信息有限公司,由潘建根/教授级高工主讲的关于介绍《半导体照明标准和测试方法简介》的讲义资料,介绍了半导体照明标准以及相应的测试方法,现在分享给大家,欢迎下载附

  https://www.alighting.cn/resource/20130710/125465.htm2013/7/10 11:37:02

关于led成像分布光度计的研究

本文介绍并探讨了一种新型的基于成像方法的测试光度计,并且对其进行了研究,对于具有半面发光特点的led光度测试,给出了一种解决方案.目前测试的结果,比较吻合实际led的配光曲线,具

  https://www.alighting.cn/resource/20130709/125467.htm2013/7/9 11:04:42

硅基氮化镓在大功率led的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

2013ls:晶能-硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

2013ls:华灿光电—大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由华灿光电股份有限公司的王江波/研发经理主讲的关于介绍《大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究》的讲义资料,现在分享给大家,欢迎下

  https://www.alighting.cn/2013/6/17 11:30:17

led外延片介绍及辨别质量方法

外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电

  https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42

空穴传输层厚度对oled性能的影响

极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹

  https://www.alighting.cn/2013/6/5 14:40:41

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