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9月21日，LED芯片大厂晶电控告广镓专利侵权案判决出炉，法院宣判晶电主张专利无效，广镓获得胜利。
https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00
质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
本文首先综述了gan基材料的基本特性，分析了gan基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
道康宁公司的材料科学专家携手全球知名LED制造商共同开发有机硅灌封材料和能够承受高温的压模成型有机硅透镜材料；这些材料适用于现有的生产工艺流程，为新一代高亮度LED应用提供其所必
https://www.alighting.cn/resource/20081223/128647.htm2008/12/23 0:00:00
有业内专家甚至认为，LED或许就是下一个多晶硅。中国多晶硅的产量从2005年的60吨狂飙到2008年的4000吨以上。到了2009年，产能出现严重过剩，国家不得不把多晶硅列为产
https://www.alighting.cn/news/20100513/93968.htm2010/5/13 0:00:00
从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。
https://www.alighting.cn/news/2010514/V23716.htm2010/5/14 9:42:25
LED晶粒厂广镓(8199)受惠于整体接单产能延续满载状态，在下游客户存货盘点影响下，07年12月营收仍旧以2.09亿元续创历史新高，累计07年度总营收亦因此扩增至18.83亿
https://www.alighting.cn/news/20080109/119657.htm2008/1/9 0:00:00
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色LED。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
