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科瑞斯特的客户，目前主要在台湾和中国大陆，台湾的两家客户规划安装的设备数量各达到了200台。2011年，科瑞斯特的客户将可以提供2英寸和4英寸的蓝宝石衬底600万片。今年11
https://www.alighting.cn/news/20100831/121008.htm2010/8/31 0:00:00
与其他两种衬底的led 芯片相比,以sic 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下
https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
据业内人士指出，2013年国内蓝宝石衬底项目至少要停掉50%以上，这也就意味着此前在建的60多个项目，至少有一半项目将被迫退出。一场蓝宝石衬底领域的洗牌大战已经悄无声息地开始。
https://www.alighting.cn/news/20130415/90242.htm2013/4/15 10:19:57
在led的制备过程中，上游的衬底材料是决定led颜色、亮度、寿命等性能指标的主要因素。衬底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格
https://www.alighting.cn/news/20160222/137107.htm2016/2/22 10:04:13
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，kyma也成功开发了高掺杂n+
https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
