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态的误解和不合理分析的可能性。1、材料显微组织结构的多尺度性：原子与分子层次，位错等晶体缺陷层次，晶粒显微组织层次，细观组织层次，宏观组织层次等；2、材料显微镜组织结构的不均匀
http://blog.alighting.cn/weafawewe/archive/2010/5/17/44648.html2010/5/17 17:11:00
值：创建安全工作环境● 隔爆增安型最高等级，保证产品在各种易燃易爆场所安全工作。● 采用场效应晶体发光技术，可视距离远，耐老化，寿命长达20000小时。● 具有自动应急功能，应急工
http://blog.alighting.cn/fkuewxf2010/archive/2010/6/2/47501.html2010/6/2 14:17:00
n technology's range of application： 主要在液晶显示器件、半导体硅晶片、集成电路、高精度印制电路板、光学器件、石英晶体、密封技术、带氧化膜的金属材料等生产过程中采用
http://blog.alighting.cn/svruv1/archive/2010/7/17/56409.html2010/7/17 10:47:00
局。如：zno晶体生长、lialo2晶体生长实现了若干关键技术突破；初步完成专利池组建工作，完成多项国家、行业标准的制修订工作等；以半导体照明工程技术研究中心为主体，建立了半导体照
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/21/122714.html2010/12/21 15:10:00
能。由于采用意法半导体独有的电流控制电路，该芯片还拥有过流保护、过压保护、扼流线圈饱和以及硬开关等功能。准确且可设置的预热功能可延长灯的使用寿命，双极晶体管的贮存时间修正功能可防止跨
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222102.html2011/6/19 23:22:00
延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
燃易爆场所安全工作。bxe8400防爆标志灯采用场效应晶体发光技术，可视距离远，耐老化，寿命长达20000小时。bxe8400防爆标志灯具有自动应急功能，应急工作时间达2小时。bx
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/229992.html2011/7/18 14:03:00
能灯高数倍，在光效方面，led的光效曾经有了很大的奔腾，如今做到150流明/w曾经不是困难，然则led照明还面对许多要素的限制。led属于晶体发光，晶体的温度不可以过高，温渡过高
http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/12/12/257695.html2011/12/12 16:50:55
f，to-251/252。正宗原厂台系ic，质量稳定，良率高。从ic设计到成品均自行设计生产。主营产品：mos管驱动，场效应晶体管，电压元件，大功率mos管，晶体管元件，高压mos
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299424.html2012/11/21 13:57:44
而改善晶体质量。例如，ingan使用si参杂就可以改善晶体质量。3、cl参杂：cl的电阻率是决定cl浓度的重要参数，浓度一定要低到不足以在cl中产生热效应，但是cl参杂又必须高过a
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
