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外延改善led芯片esd性能的方法

esd耐受电压是反映led芯片性能的一项重要指标,可用于评估led在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率,是目前led研究和研发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le

  https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19

提高gan基led的光提取效率之激光剥离技术的研究

本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术,成功地将gan薄膜从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17

led照明产业链加速 整合倒逼企业突围

炉领域,并自主研发出85公斤级蓝宝石衬底炉。刘董自信地表示,未来半年,晶蓝德的大尺寸蓝宝石长晶炉能基本稳定地生产超100公斤的晶体。  行业暂时的低谷提供了洗牌整合的机会,但这对整

  http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/3/27/312588.html2013/3/27 8:53:05

科学家发明彩色高效硅基发光二极管

【led幕墙屏网】硅纳米晶体的尺寸仅为几纳米,却具有很高的发光潜力。现在,来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(kit)和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体,成功制造出了高效的硅基发

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/25/312349.html2013/3/25 14:06:29

gan基led外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

中微公司首次进入半导体照明市场

就是说,中微的 mocvd 设备可以以并行或者串行模式运行,这就减少了交叉污染,并且保证了晶体的高质量,这是先进的 led 器件所必需的。中微的mocvd设备在占地面积上也有相当的优

  http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/3/14/310903.html2013/3/14 15:10:01

天通控股90公斤级c轴蓝宝石晶体首次亮相

此次发布会上,天通公司首次展示了具有业界领先水平的90公斤级c轴蓝宝石晶体。省政府领导、行业专家及企业代表参加了揭幕仪式,并对天通公司成功生产90公斤led级c轴蓝宝石晶体的意

  https://www.alighting.cn/news/20130311/112794.htm2013/3/11 9:30:06

提高发光二极管中gan_材料质量的技术研究

本论文目标就是以方法简便为原则,探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中,我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄

  https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11

gan基led研究的最新进展

简述了led的发展历史,讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理,以及为改善gan基led性能而采取的一些手段,同时也对这些方法的优缺点进行了分析,对led的老化机制

  https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14

德国成功使硅纳米晶体led发光

纳米级硅晶体具有发光潜能,德国kit和多伦多大学的科学家成功地采用这些晶体生产出硅基led(sileds)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130306/121868.htm2013/3/6 16:16:32

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