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应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
n sapphire之效率。在未来，就成本面观之，透过缩短磊晶和烘烤腔体的时间、降低腔体维护成本、可大电流操作之优势和垂直型结构之制作成本等，搭配氮化镓基板成本下降之趋势，gan on ga
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
率,在光学特性和结构方面能为灯具设计者考虑得更多,这样才能从根本上解决实际问题。以期共同克服制约led应用和发展的瓶颈,共同推动led照明产业的更加繁
https://www.alighting.cn/resource/20110407/127771.htm2011/4/7 18:35:31
一般来说，led外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
https://www.alighting.cn/2014/9/28 9:50:24
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
led应用范围的日益扩大对其驱动电路有了更高的要求，波纹电流是影响led性能的主要原因，led驱动电路的性能主要取决于开关稳压器和关闭控制环路的结构，根据输入电压和输出电压之
https://www.alighting.cn/resource/20110701/127476.htm2011/7/1 13:46:48
研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/li
https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11
大功率led体积小、工作电流大,输入功率中大部分转化为热能,散热是需要解决的关键技术。文章介绍了大功率led热设计的方法,针对大功率led的封装结构,建立了热传导模型;对某照明
https://www.alighting.cn/2012/7/20 15:19:51
目。本文分析了现有的贴片式(即smd)led三晶rgb白光的显色指数及在此基础上改进封装结构提高白灯显色指数的做
https://www.alighting.cn/resource/20110527/127537.htm2011/5/27 20:15:00
