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mocvd技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，mocvd仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，mocvd技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带
https://www.alighting.cn/resource/20130228/125982.htm2013/2/28 10:33:06
日本东北大学研究生院环境科学研究科与同和控股，共同开发冷阴极场致电子发射型(fe)发光器件“fpl：flat panel lighting”。开发中将此前主要面向显示器用途开发的f
https://www.alighting.cn/pingce/20130226/122017.htm2013/2/26 10:34:30
较于白炽灯、紧凑型荧光灯等传统光源，发光二极管(led)具有发光效率高、寿命长、指向性高等诸多优势，日益受到业界青睐而被用于通用照明(general lighting)市场。led
https://www.alighting.cn/resource/20130222/126022.htm2013/2/22 11:47:20
tdk已开始销售epcos品牌薄膜电容器“b3267p系列”，新产品与该公司原产品相比体积约削减了40%。计划用于日益小型化的led电源和通用开关电源等的功率因数校正电路和输出滤
https://www.alighting.cn/pingce/20130221/121909.htm2013/2/21 12:01:40
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59
求，须从系统的角度去考虑，如led光源、电源转换、驱动控制、散热和光学等。薄膜芯片技术崭露锋芒目前，led芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
商提供的零驰 led 晶片薄膜均匀扩驰， 使附灭正在薄膜表面紧密陈列的 led 晶粒拉 开，便于刺晶。 第二步：背胶 将扩好晶的扩晶环放正在未刮好银浆层的背胶机面上，背上银浆。点
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309122.html2013/1/31 10:26:53
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
用于led照明电路板的是名为“sp-nalt”的品种，专门面向日清纺精密机器的能以“卷对卷”工艺在pet薄膜线路板上封装led芯片的封装设备“nalt-01”开发。
https://www.alighting.cn/pingce/20130128/122042.htm2013/1/28 10:18:46
d护栏管的外壳作为灯具产物的混光层和保护层，也影响到灯具产物的性能作用和寿命长短。如今所用的工程朔料普通是pc(聚碳酸脂)，它的抗老化、防紫外线、抗冲击作用是最棒的。也有用pmm
http://blog.alighting.cn/led-gy/archive/2013/1/25/308634.html2013/1/25 2:19:41
