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通过采用更大的晶圆尺寸改善产率(4英寸和6英寸)所有led(蓝、绿或白光的led)的主要部分是以gan/ingan/algan材料为基矗到目前为止,大部分led都是在2英寸蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00
造流程是:首先在外延片顶部的p型gan上淀积厚度大于500a的niau层,用于欧姆接触和背反射;再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
题,这是目前主流的大功率led的生产方式。 美国lumileds公司于2001年研制出了algainn功率型倒装芯片(fcled)结构,其制造流程是:首先在外延片顶部的p型ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
业化产品120im,ra为75~80。目前,国内外制作白光led的方法是先将led芯片放置在封装的基片上,用金丝进行键合,然后在芯片周围涂敷yag荧光粉,再用环氧树脂包封。树脂既
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
法是先将led芯片放置在封装的基片上,用金丝进行键合,然后在芯片周围涂敷yag荧光粉,再用环氧树脂包封。树脂既起保护芯片的作用又起到聚光镜的作用。从led芯片发射出的蓝色光射到周
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
d外延片生产用mocvd设备购置进行大量补贴。据高工led产业研究所统计,从2009年到2011年初,仅出台设备补贴优惠政策的扬州、江门、芜湖三地新增的mocvd设备就达630余
http://blog.alighting.cn/dgleddy/archive/2012/12/7/302646.html2012/12/7 10:05:00
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304190.html2012/12/17 19:34:07
镓,氮化镓,磷化镓,和蓝宝石等,可用来制作led.在复合半导体上生长出光子层并转移到硅或相似的材料的支撑晶圆上,并且晶圆的背面是暴露出来的。现在复合半导体只有大到4英寸。这就限制了le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230116.html2011/7/18 23:52:00
是从事led应用这一领域。这样必将导致led产业各个领域之间的不平衡,呈现出上游领域薄弱,下游应用缓解较强的这一局面。 在上游外延片和芯片领域,由于缺乏核心技术,短期内很难获
http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/4/19/272413.html2012/4/19 10:57:34