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通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
性(semipolar) gan衬底的制程技
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
普瑞光电近日宣布，他们已经成功实现了最新的基于硅衬底的led制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的硅来取代目前使用的更昂贵的制造材料。
https://www.alighting.cn/news/20110315/115520.htm2011/3/15 10:26:38
tdk公司开发的陶瓷衬底在像半导体的晶片里面加工与制造，并与变阻器具有相同的功能，变阻器被用来防止静电，但是通常不能与led同用。
https://www.alighting.cn/news/20090420/120827.htm2009/4/20 0:00:00
在中国太阳能光伏的投资热潮出现过热并遭到政策调控后，gtat在华销售也一度受到影响，但是他们看到了中国更大的蓝宝石衬底市场，目前其提供的蓝宝石晶炉可以提高生产led晶片的蓝宝石材
https://www.alighting.cn/news/20111124/114382.htm2011/11/24 9:01:36
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案，以及提出新的发光材料。为此，本文除简要描述半导体照明上游产
https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57
本文采用相场数值模拟研究了图形化衬底上外延形态演化及其可调控性。发现通过在衬底表面预制合适的图形，改变外延层表面初始的应变分布，从而有效控制外延层表面的形态演变路径，可以获得高
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:52:41
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
n衬底材料工艺对发展gan半导体器件产业至关重要
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
