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led的选择与外延工艺设备

本文黄健全先生系统的讲解了关于led材料的选择与外延工艺设备的基本情况,读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22

100lm/w照明用led大功率芯片的产业化研究

本研究基于蓝宝石图形(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16

蓝宝石图形上生长gan的微区拉曼光谱研究

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55

led散热设计的几个核心问题

led的散热现在越来越为人们所重视,这是因为led的光衰或其寿命是直接和其结温有关,散热不好结温就高,寿命就短,依照阿雷纽斯法则温度每降低10℃寿命会延长2 倍。遗憾的是,现在实际

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/20/165643_82.htm2011/7/20 16:56:43

flip chip led(倒装芯片)简介

为了克服正装芯片的这些不足,出现了倒装芯片(flip chip)结构,光从蓝宝石取出,不必从电流扩散层取出。由于不从电流扩散层出光,这样不透光的电流扩散层可以加厚,增加fli

  https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26

提高led光提取效率的研究

《提高led光提取效率的研究》通过模拟计算的方法分析了倒装结构led中材料折射率及厚度对光提取效率的影响, 并在此基础上提出一种新的菱形结构. 结果表明: 该菱形结构可大幅

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/15/155226_01.htm2011/7/15 15:52:26

钻石碳化硅 led的梦幻基材(下)

碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28

钻石碳化硅 led的梦幻基材(上)

碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12

led芯片之湿法表面粗化技术

led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片,亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理,对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片,对其光电

  https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48

led材料、固晶方式及导热材料发展现状分析

最新实验报告显示,用100w的集成模块对比,用纯铜片的模块在芯片温度高到75摄氏度时,用金刚石-铜复合片的模块芯片温度只有65摄氏度。而今国内已开发出金刚石-铜复合片。导热率比纯铜

  https://www.alighting.cn/resource/20110707/127450.htm2011/7/7 11:58:41

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