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GaN基led外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

非晶ingazno薄膜晶体管驱动oled像素电路的仿真研究

利用实验室制备的a-igzo tft 器件进行参数提取后建立的spice 仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2t1c 和4t1c 的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4t1c

  https://www.alighting.cn/2015/1/4 13:44:07

湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究

度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00

蓝宝石衬底市场需求强劲 上游企业扩产增员

美国thermal technology公司正积极开工扩建其蓝宝石晶体炉的生产厂房,计划厂房面积将扩大为原来的三倍;另一方面,奥地利ev集团(evg)的晶圆键合和光刻设备生产厂

  https://www.alighting.cn/news/20110804/90143.htm2011/8/4 11:05:43

GaN同质外延和竖直结构led

本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义,现在经张国义教授的同意,发布于新世纪led网平台分享与大家,希望能够对大家

  https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36

GaN元件和amo技术实现更高效率与宽频

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/resource/20140915/124307.htm2014/9/15 10:17:12

GaN元件和amo技术实现更高效率与宽频

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/8/28 11:07:01

GaN组件和amo技术实现更高效率与宽带

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/7/28 10:33:22

ngk(日本)开发出GaN衬底的uhb - led

近日,日本公司ngk insulators发布了新的用于电子设备应用的超高亮度(uhb )led,基于液相外延生长技术,超高亮度(uhb )led实现了其创新功能。 据 ngk估计

  https://www.alighting.cn/news/20111214/99660.htm2011/12/14 10:16:15

bluglass获政府500万基金支持

2007年9月11日,澳大利亚bluglass公司(开发低成本制造GaN晶片方法)获得澳大利亚工业局(ausindustry) "commercial ready grant

  https://www.alighting.cn/news/20070916/117228.htm2007/9/16 0:00:00

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