检索首页
阿拉丁已为您找到约 1471条相关结果 (用时 0.010733 秒)

首尔半导体加入GaN基板阵营,npola性价比高动摇蓝宝石基板地位

唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营,或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制,较大部分芯片资源来自集团外部,因此成本不具竞争力,在韩系三巨

  https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36

2011年GaN led市场仅增长1% 至87亿美金,企业利润不容乐观

经过2010年60% 的高速增长,ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓,仅增长1% 至87亿美金。主要原因有:占据 60% GaN led营收的背

  https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49

非极性GaN用r面蓝宝石衬底

采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02

iqe收购英国GaN新创企业nanoGaN

对nanoGaN的收购将帮助iqe加快先进的蓝光/绿光半导体激光器和固态照明产品的上市步伐。

  https://www.alighting.cn/news/20091010/116607.htm2009/10/10 0:00:00

提高GaN基发光二极管外量子效益的途径

发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展,本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射

  https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30

蓝宝石图形化衬底的GaN基led大功率芯片的研究和产业化

本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底,在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提

  https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44

晶圆发光技术探索

晶长膜领域中,要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合,基于发光元件高辉度要求,不断增大发光元件的发光面积,随着该面积变大,消费电力也随着急遽暴

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00

山东大学晶体材料研究所王成新博士:《大功率GaN led技术》

士发表了《大功率GaN led技术》的专题演

  https://www.alighting.cn/news/20110612/109070.htm2011/6/12 17:31:55

第一家大陆和台湾省合资led晶圆厂成立

山西省长治市政府看好华上光电技术,决定出资与华上在长治市成立一家led厂,以共同开发大陆的led照明市场。

  https://www.alighting.cn/news/20091210/V22111.htm2009/12/10 10:25:15

普瑞光电硅晶圆计划 成本有望下降75%

近日,普瑞光电(bridgelux) 首席执行官bill watkins 对外表示,为了和计算机半导体产业配合以节省成本,led 公司必须开始以同样的设备来制作led。

  https://www.alighting.cn/news/20110310/115959.htm2011/3/10 11:37:58

首页 上一页 21 22 23 24 25 26 27 28 下一页