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大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262783.html2012/1/29 0:45:06
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
响，此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不均匀。 2.片光电参数配合：半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强)和电学(
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56
、采用更大尺寸晶圆制作工艺，也在不断的降低成本，近年来每年在以20%速度降低中，如果能把目前的封装成本从占总成本的50%降低到20%~30%，led照明的应用会上到一个新数量级市场规
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262766.html2012/1/29 0:43:43
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
是将精密机械氧造概念引入半导体氧程中,以自行设计的设备,结合反射镜及低温热压式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262754.html2012/1/29 0:43:03
车后部的高位刹车灯，90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年，日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后，世界上结束了没有原色蓝光的历史，在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和inGaN晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26
们就必须选择更合适的封装结构，所以改变现有的封装结构，实现合理的封装成本，将是led照明被市场接受的最有效、最直接的途经。当然，led芯片随工艺、出货量增加、采用更大尺寸晶圆制作工
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262737.html2012/1/29 0:41:28
