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采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
o薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成. 反射式高能电子衍射(rheed)原位观察以及高分辨x射线衍射(hrxrd)、透射式电子显微(tem)和会聚束电子衍射(cbe
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条件得
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
时，采用不同主峰波长的主粉和红粉组合制备白光led的光参数组合配比粉胶比光通量/lm色坐标x色坐标y色温/t显指1g:r3=88.5:11.525.26%5.20.4360
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317941.html2013/5/25 12:32:06
个不同尺寸的版本用于不同场景，正常模式140x180毫米、高速模式140x260毫米和团队模式300x200毫
http://blog.alighting.cn/178081/archive/2013/5/24/317923.html2013/5/24 22:23:22
d光源工作特点照明用led光源的vf电压都很低，一般vf =2.75-3.8v，if在15-1400ma;因此led驱动ic的输出电压是vf x n或vf x 1， if恒流在15
http://blog.alighting.cn/gzds3142/archive/2013/5/23/317792.html2013/5/23 9:16:38
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
放selese－800功率:2x480w(8欧),2x720w(4欧)，2x900w(2欧)，2u。独有接地桥路技术，使功放具有高驱动能力，极低的输出内阻，优秀的音质。使用和承载电压低，大
http://blog.alighting.cn/113384/archive/2013/5/9/316852.html2013/5/9 15:45:34
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
