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r lift-off）及金属黏合技术（metal bonding），将led磊晶晶圆从gaas或gan长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
子而辐射发光的“双注入式”器件。由于有机材料的电子亲和势比金属和无机材料的电子亲和势小得多，要想有效地往有机材料中注入电子，阴极材料的功函数必须足够低。最近的研究表明，用低功函数金
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
从芯片内部射出的光通比例，减少芯片内部吸收，提高功率led成品的发光效率。从封装来说，功率型led通常是将功率型芯片装配在带反射腔的金属支架或基板上，支架式的反射腔一般是采取电镀方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
能。 mc9rs08ka2控制pwm功率开关器件，对hbled电流进行调节。p沟道金属氧化物半导体管(pmos)的开关是由mcu计时模组控制的，并且频率被设定为30kh
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
究，在材料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
到了市场上蓝宝石衬底gan led水平。 2 外延生长技术 实现gan基材料生长的外延技术主要有金属有机物化学汽相淀积（mocvd）[3，4]、分子束外延（mbe）[5]
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
要能避免ｍｏ ｇａｓ金属有机蒸发源与ｎｈ３在预热区就先进行反应３进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说ｇａｎ的成长须要很高的温度来打断ｎｈ３之ｎ－ｈ的键解，另外一方面由动力学仿
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
其白炽灯的响应时间为毫秒级，led灯的响应时间为纳秒级。 6）对环境污染：无有害金属汞。 7）颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134110.html2011/2/20 22:49:00
装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
及金属导体的电阻构成的。根据图l所示的等效电路可知，流过负载的电流为： 由上述模型可以看出，太阳电他的输出特性和工作温度不可能通过分析解来得到，必须通过迭代和数值模
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
