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解析led光谱技术,挑战超高亮度led产品

国和中国&helli等亚洲地区,颇受全球光电大厂关注。光的重要性与其致胜之道随著这几年磊晶技术迅速发展之下,经由选择高纯度的单晶原料,再由适当温度控制及精确地掌握各组成元

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261580.html2012/1/8 21:53:41

led路灯合同能源管理模式的思考

准规范的不完善以及人才缺乏也影响着emc模式的推广。  台湾乐雷光电董事长熊克苍说的好:“投资led产品的企业要考虑以下三点;1.懂不懂led、懂不懂照明,2.生产的产品销路在什

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261584.html2012/1/8 21:53:51

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

太阳能led照明 西部未来能源优势

度好和圆头led点面积亮度高的优点,使两者取长补短,发挥最大的光效,克服了平头led点面积亮度不如圆头led,而圆头led光均匀度不如平头led的缺点。 在控制器方面,利用太阳能光

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261616.html2012/1/8 22:01:56

国内推出首款自主研发epon芯片

据了解,杭州钦钺科技有限公司(ktt)自主研发的国内首款epon终端芯片即将正式投产。在互联网应用全面进入“光时代”之际,这款光通信核心芯片的研发成功引起了业内外广泛关注。(见光

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261635.html2012/1/8 22:26:20

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

光纤led驱动电路的设计

d,hfbr-24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262675.html2012/1/29 0:37:14

光纤led驱动电路的设计

d,hfbr-24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262690.html2012/1/29 0:38:07

led知识大全

﹑sr等  c、超高亮度:ug﹑uy﹑ur﹑uys﹑urf﹑ue等  d、不可见光(红外线):r﹑sir﹑vir﹑hir  e、红外线接收管:pt  f、光电管:pd  2、按组

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262718.html2012/1/29 0:39:42

用于lcd背光的led技术进步

色。  最近,欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法,一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中,led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造,一个不同点就

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26

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