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LED照明适用范围及应用领域

一、LED照明适用范围:LED照明灯具里,底灯,吊灯,投射灯等装饰用,反射用途的LED照明灯具可以完全胜任于任何场合,包括美术馆,博物馆等对颜色度要求较高的场所。但是对于商场,写

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/10/11/292909.html2012/10/11 17:11:54

mocvd外延al_2o_3基algan/gan超晶格的结构和光学特性

3)衬底上生长的algan/gan超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb超晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

si基zno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

pld方法制备的zno纳米柱结构及光学特性

采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

gan薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征

采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr

  https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10

蓝宝石基片上制备双面tl_2ba_2cacu_2o_8超导薄膜

行了高温处理,有效改善了其结晶质量和表面形貌。采用两步法制备了双面的tl-2212超导薄膜。xrd测试显示,薄膜为纯的tl-2212相,且其晶格c轴垂直于衬底表面。超导薄膜的tc

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

lb/t 003-2009 LED隧道灯

本推荐性技术规范规定了 LED 隧道灯的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本推荐性技术规范适用于交流50hz/220v 电源供电,在内置驱动控制器(自镇

  https://www.alighting.cn/news/20120427/109363.htm2012/4/27 10:07:37

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