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散热的误区

用普通的铝散热,经多次测试,热沉的温度就只比散热器底部高3-5摄氏度。也就是说,如果真能用到一种导热特好的材料,在热阻为零的情况下,也就可以把温度降低3-5摄氏度。 2.迷信热

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258408.html2011/12/19 10:45:17

为什么中国技术赶不上欧美!

3%,而且在私有企业3%也不一定能到手。 2.利益分配问题 虽然我们国家也投入了不少的研发经费,但多数被按职务和职称瓜分了!在利益的分配上人家是按所取得的成绩来分,我们是按职

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258412.html2011/12/19 10:45:30

导热硅胶片在lEd行业是怎么应用的?

据发热功率器件的大小及形状任意裁切,具有良好的导热能力和绝缘特性.该产品的导热系数是2.45w/mk,而空气的导热系数仅有0.03w/mk;抗电压击穿值在4000伏以上,在大部分电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258421.html2011/12/19 10:46:17

从业人员必看:lEd照明市场深度分析

键发展一年,相对09年下半年厂商布局格外重要。 2、前景备受看好的lEd照明,随着新标准制度的陆续公布,以及集团先后跨入和行业新进者的相继投入,缠上要在激励的市场竞争中胜出不

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258429.html2011/12/19 10:46:42

全球lEd驱动市场持续扩大 照明领域成重点

3,695万台爆增至2.6亿台,再者,在备受瞩目的lEd照明方面,lEd灯泡可望提前于2011年渗入全球照明市场,并将在四年后成为一般消费者替换光源的首选。除新兴应用外,小尺寸lEd背

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258435.html2011/12/19 10:47:06

smd表面贴技术-片式lEd,sm

要考虑固晶区尽可能设计在单颗片式lEd线路板中间位置。2、焊线区:焊线区基本上要大于磁嘴底部尺寸。3、固晶区与焊线区距离:固晶区与焊线区距离要以焊线线弧来确定,距离大会造成线弧拉力不

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258467.html2011/12/19 10:54:55

lEd芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

大电流lEd调光方法的对比分析

高和最低lEd电流平均值分别由式1和式2表示。ilEd_max=ddim_max×ilEd (1)式4和式5表达了ddim_max、ddim_min与lEd驱动器的传

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258566.html2011/12/19 11:00:43

lEd芯片寿命试验

片的可靠性水平,以保证lEd芯片质量,为此我司在实现全色系lEd产业化的同时,开发了lEd芯片寿命试验的条件、方法、手段和装置等,以提高寿命试验的科学性和结果的准确性。2、寿命试

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258569.html2011/12/19 11:00:50

工业级高信赖性lEd路灯系统评量指针

求。2.)lEd发光效率vs温升与寿命规格关键技术指针:其次检视crEE或osram lEd发布数据其芯片pn结工作温度 tj<85℃方能确保工作寿命达50000小时,且芯片pn结

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258578.html2011/12/19 11:01:16

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