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发光二极管封装结构及技术

包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘 结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管

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sed显示技术

题;(2)发光完全可控,不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题,黑色表现力大大提高;(3)发光效率可达5lm/w,使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半;(4)由

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

常el显示器是单色的,对角线尺寸从3.5英寸到10.4英寸,分辨率从160 x 80 (h x v)到vga。el显示器通常采用磷产生的琥珀色。美国平达系统公司能够提供超过16种不

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led芯片的制造工艺简介

及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设

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氮化镓衬底及其生产技术

品化的设备出售。目前国内外研究氮化镓衬底是用mocvd和hvpe两台设备分开进行的。即先用mocvd生长0.1~1微米的结晶层,再用hvpe生长约300微米的氮化镓衬底层,最后将原

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gan外延片的主要生长方法

v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)

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led外延片(衬底材料)介绍

用,在ic中用量不大,它需要在单晶si片表面上沉积一薄的单晶si层。一般外延层的厚度为220μm,而衬底si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)。外延沉

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led与太阳能结合的照明技术

等特点。1. 太阳能光伏发电的原理:太阳能光伏发电是依靠太阳能电池组件,利用半导体材料的电子学特性,当太阳光照射在半导体pn结上,由于p-n结势垒区产生了较强的内建静电场,因而产

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我国半导体照明应用现状

及军用等,其中建筑景观照明是我国led最大的应用领域。2、成熟市场(1)建筑景观照明由于led光源具有节能环保、轻巧耐用、色彩丰富、简单易控、低压安全等一系列优点,在景观照明中具有广

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