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1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：lightemittingdiode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
1923 年，罗塞夫 (lossen.o.w) 在研究半导体 SiC 时有杂质的 p-n 结中有光发射，研制出了发光二极管 (led ： light emitting diod
https://www.alighting.cn/resource/20070123/128809.htm2007/1/23 0:00:00
2006年10月4日，半导体及显示系统解决方案的全球分销商好利顺电子（nu horizons，）与欧司朗（osram）宣布签署合作协议，好利顺将在北美地区销售欧司朗的led、硅光
https://www.alighting.cn/news/20061008/103142.htm2006/10/8 0:00:00
2006年8月22日，虽然基于 gan 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、SiC 和gaas衬底)已取得重大进步，但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代，导致了照明
https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00
2006年8月4日，麻省理工学院(mit)微光学技术中心开始一项360万美元、挑战 iii-v 族光电材料的“芯片级纳米光电系统用电泵浦硅激光器”项目，此项目为美国国防部投
https://www.alighting.cn/news/20060809/102199.htm2006/8/9 0:00:00
据国家发改委网站报道，目前，我国大直径半导体硅材料产业化取得新进展，北京有色金属研究总院、国家半导体材料工程研究中心和有研半导体材料股份有限公司联合攻克了0.13-0.10微米集
https://www.alighting.cn/news/20060731/102032.htm2006/7/31 0:00:00
半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明，是21世纪最具发展前景的高技术领域之一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发展
https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00
由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
作为一种化合物半导体材料，gan材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中gan区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
