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理设计（图1）使用了两个dis1020a 浮压恒流集成二极管分为两路恒流驱动各40个串联led，每路的工作电流为20ma。在硅基板上，采用扩散工艺制作了16个56v/10ma的稳压二
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少80%。 3）适用性：每个单元led小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境。 4）稳定性：10万小时，光衰为初始的50%。 5）响应时间：
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134110.html2011/2/20 22:49:00
m2之间的超薄发光标牌，可像素管发光模组；厚度在10mm以上的大型超薄发光指示牌，应选用发光角在30度以内的超高亮发光模组。 总之，广大广告界同仁在利用led应用技术制作产品
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134107.html2011/2/20 22:48:00
使l1上的电流以di/dt=vl1/l1的斜率上升。其中di/dt单位为安培/秒、vl1的单位为伏、l1的单位为亨。 q1 与 r1上的压降忽略不计，因为q1的导通电阻rd
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
现代光学耦合器的核心是输入端的led和输出端的光电探测器. 它们被绝缘的光传导介质隔开。光电探测器可以是光电晶体管，可以是带有晶体管的光电二极管，也可以是集成式检测器/逻辑集成电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
v641620是flash存储器芯片，单片存储容量为16 m图2485接口电路、a6b595和a6276级联电路原理图位(2 mb)，8/16位数据宽度，本系统采用16位数据宽度的工
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果需要产生350毫安的恒定电流，您将需要：r=v/i，此时r=(5v-3.0v)/350ma=5.7ω。 可以看到，采用这些值，r将消耗r×i2即0.7瓦(几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
光led阵列所取代。 更有甚者，人们还在利用一种电“可操纵”型高电流led阵列来开发车前灯，而该领域一直是被卤素/氙灯丝设计所把持的。几乎所有的汽车照明应用（包括车身内部/外部照
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破gan材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
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衡方程进行新一轮计算，直到满足计算精度为止。 2计算结果和分析 本文以直径为10cm的圆形单晶硅太阳电池为例，对不同串联内阻和换热系数下的太阳电池输出特性和工作温度进行了数
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