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源的fl(英尺朗伯)或nits(cd/m2,烛光/平方 米),1fl=0.2919nits,而不是测量物体反射光强度的lux(勒克斯)。el场致发光灯的寿命是以半衰期来衡量的,即e
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效晶体管(field effect transistor,tft)控制该子像素的电场强度,以决定通过该子像素的光强度；通过各子像素的光能量,再经由各子像素所对应的原色(红色、绿色
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件的永久性损坏。大家熟知,led是半导体产品,如果led的两个针脚或更多针脚之间的电压超过元件介质的击穿强度,就会对元件造成损坏。氧化层越薄,则led和驱动ic对静电的敏感性也就越
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构 牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积
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路系统内部形成电路。并网发电系统通过光伏数组将接收来的太阳辐射能量经过高频直流转换后变成高压直流电,经过逆变器逆变后向电网输出与电网电压同频、同相的正弦交流电流。而独立式发电系统光
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成
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代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(sic)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。90年代中
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光的光谱范围。发光强度：发光强度的衡量单位有照度单位(勒克司lux)、光通量单位(流明lumen)、发光强度单位(烛光candle power) 1cd(烛光)指完全辐射的物体,在白
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低,性能提高和成本降低的速度都令人难忘。pn结设计、再辐射磷光体和透镜结构都有助于提高效率,因此也有助于提高可获得的光输出(附文《实验室中的 led》)。就高输出白光 led 而言,
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