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2007年7月26日，英国商业、企业和改革部(dberr)已发起名为 novelels的计划，致力于开发新型GaN芯片技术，将固态led光源商业化。
https://www.alighting.cn/news/20070727/104006.htm2007/7/27 0:00:00
美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(GaN)为主的led，俄歇复合(auger recombination)是其效率下
https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00
中村修二教授1993年在日本日亚化工（株）就职期间，开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led，世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发，被称为led行业的爱迪生。
https://www.alighting.cn/news/20100324/104811.htm2010/3/24 0:00:00
在美国拉斯韦加斯举办的氮化物半导体国际学会「icns-7」上，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）与三菱化学联合发表了利用GaN结晶非极性面的蓝色led。
https://www.alighting.cn/news/20071008/105060.htm2007/10/8 0:00:00
日前，飞利浦lumileds公司已选择美国维易科公司（veeco instruments inc.）的turbodisc? k465? 氮化镓（GaN）金属有机化学气相沉
https://www.alighting.cn/news/20090826/106482.htm2009/8/26 0:00:00
美国设备大厂veeco instruments inc.日前宣布台厂华上于2010年q2向其订购了数台turbodisc k465i氮化鎵（GaN）与e475砷化磷（as/
https://www.alighting.cn/news/20100720/117794.htm2010/7/20 0:00:00
近年，以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
led磊晶设备大厂veeco宣布台湾led磊晶厂商晶电日前订购数台turbodisc? epik?700 gallium nitride (GaN) mocvd系统，用于led生
https://www.alighting.cn/news/20160815/142845.htm2016/8/15 9:26:58
个难题，通过各种模块的优化组合，实现了真正意义上的大功率照明led照明灯具。目前，以这家公司为代表的企业采用国产的led外延片封装的10-100w集成led光源模块，光源光效突
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/11/2/249826.html2011/11/2 9:54:58
