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el、ccfl及LED三种背源对比分析

件。   目前背源主要有el、 ccfl及LED三种背源类型,依源分布位置不同则分为侧式和直下式。随着lcd模组不断向更亮、更轻、更薄方向发展,侧式ccfl式背源成为液

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126779.html2011/1/9 21:16:00

大小功率LED照明方案选择指南大全

LED发出的不会忽明忽暗、以及不会发生LED色偏现象,它一般接受24v-48v的直流电压输入,但也有一些先进的LED驱动可直接接受220v市电交流输入。对设计师来说,最大的技

  http://blog.alighting.cn/176222/archive/2015/7/13/372065.html2015/7/13 16:13:06

LED寿命试验法

件的衰老化的因素复杂,LED灯控制可能有芯片的因素,也有封装的因素。在试验过程中,采取多种措施,降低封装的因素的影响,对可能影响寿命试验结果准确性的细节,逐一进行改善,保

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143401.html2011/3/17 21:37:00

LED寿命试验法

件的衰老化的因素复杂,LED灯控制可能有芯片的因素,也有封装的因素。在试验过程中,采取多种措施,降低封装的因素的影响,对可能影响寿命试验结果准确性的细节,逐一进行改善,保

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143403.html2011/3/17 21:38:00

LED寿命试验法

件的衰老化的因素复杂,LED灯控制可能有芯片的因素,也有封装的因素。在试验过程中,采取多种措施,降低封装的因素的影响,对可能影响寿命试验结果准确性的细节,逐一进行改善,保

  http://blog.alighting.cn/moonvia/archive/2011/4/19/166241.html2011/4/19 22:31:00

LED寿命试验法

件的衰老化的因素复杂,LED灯控制可能有芯片的因素,也有封装的因素。在试验过程中,采取多种措施,降低封装的因素的影响,对可能影响寿命试验结果准确性的细节,逐一进行改善,保

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261360.html2012/1/8 20:21:41

LED寿命试验法

件的衰老化的因素复杂,LED灯控制可能有芯片的因素,也有封装的因素。在试验过程中,采取多种措施,降低封装的因素的影响,对可能影响寿命试验结果准确性的细节,逐一进行改善,保

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261361.html2012/1/8 20:21:43

LED产品质量分析和判断的杠杆

半导体发二极管(LED)因其体积小、定向发射、高亮度、pn结电特性等特点,从而在品质的评价和检测方法方面产生许多新的问题。不同的应用场合,决定了对LED产品的性能要求。从

  http://blog.alighting.cn/1133/archive/2007/11/26/8076.html2007/11/26 19:28:00

“十五”国家科技攻关计划“半导体照明产业化技术开发”项目进展情况

国内在正装及倒装功率型芯片、透明电极、功率型LED封装等方面形成一些关键技术突破,如1×1mm2功率型芯片发功率达到60mw,达到国外2000年水平,已封装出20lm/w白

  https://www.alighting.cn/news/20040608/102580.htm2004/6/8 0:00:00

LED兴起是否意味着ccfl的淘汰?

量一般,但是其发效率可达到50~100流明/瓦,而白LED件在刚起步时发效率仅为20lm/w甚至更低。不过,白LED的发效率以每年提高60%的幅度提升,到目前为止,白

  http://blog.alighting.cn/hnqunying/archive/2010/5/31/47007.html2010/5/31 14:37:00

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