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芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

LED产品质量分析与判断标准

为了发展照明LED技术,发达国家都非常重视LED测试方法及标准的研究。例如美国国家标准检测研究所(nist)组织国际知名测试专家开展LED测试的研究,重点研究LED发光特性、温

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268600.html2012/3/17 14:24:03

基于pt4115 的大功率LED恒流驱动的设计

LED 作为一种新兴光源,具有高节能、长寿命、利环保等其他光源无法比拟的性能.。因此,对LED 的研究具有划时代的意义.。本文对LED 常用驱动技术进行了比较研究,得出大功率le

  https://www.alighting.cn/2014/1/9 11:39:20

LED-mcob封装与LED-cob封装的区别

而基板底下是铜箔,不能很好的进行光学处理,而mcob 直接将芯片放在多个光学杯里进行封装,提高光通量,还可以方便实现LED发光的封装,增加单个光源的功率,最大限度避免眩光和斑马

  https://www.alighting.cn/resource/20130315/125879.htm2013/3/15 10:18:44

中科院陈弘博士:LED新技术将给国内企业带来巨变

2010年12月4日,在广州珠江宾馆举办的aom 2010 ——“广东省LED产业升级及后续发展之路”高峰论坛上,中科院物理研究所陈弘博士发表了主题为《纳米技术在白光发光二极管

  https://www.alighting.cn/news/20101209/85724.htm2010/12/9 21:39:52

LED路灯联盟升级为台LED照明产业联盟

从前身LED路灯联盟转型的“台湾LED照明产业联盟”今天举行成立大会,联盟召集人、工研院绿能所所长童迁祥表示,联盟目的在建立产业交流和合作,创造商机,达到LED(发光二极管)照

  https://www.alighting.cn/news/20121225/n520647309.htm2012/12/25 11:55:40

120w三基色大功率LED路灯-中间视觉

.一般特性规格 :尺寸 : 720(l) x 320(w) x 170(h) mm接头尺寸 : 65mm. max in diameter重量 : 12.9 公斤 材料 : 铝合

  http://blog.alighting.cn/woomiled/archive/2010/9/24/99179.html2010/9/24 16:50:00

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