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提高LED外量子效率的研究进展

近年来半导体照明光源-发光二极管(LED)产业和技术发展迅速,取代传统白炽灯的步伐越来越快,相关核心技术的研究也成为各国研究的热点,但LED的发光效率和制造成本依然是阻碍LED绿

  https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22

基于pt4115 的大功率LED恒流驱动的设计

LED 作为一种新兴光源,具有高节能、长寿命、利环保等其他光源无法比拟的性能.。因此,对LED 的研究具有划时代的意义.。本文对LED 常用驱动技术进行了比较研究,得出大功率le

  https://www.alighting.cn/2014/1/9 11:39:20

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

LED产品质量分析与判断标准

为了发展照明LED技术,发达国家都非常重视LED测试方法及标准的研究。例如美国国家标准检测研究所(nist)组织国际知名测试专家开展LED测试的研究,重点研究LED发光特性、温

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268600.html2012/3/17 14:24:03

LED-mcob封装与LED-cob封装的区别

而基板底下是铜箔,不能很好的进行光学处理,而mcob 直接将芯片放在多个光学杯里进行封装,提高光通量,还可以方便实现LED 面发光的封装,增加单个光源的功率,最大限度避免眩光和斑马

  https://www.alighting.cn/resource/20130315/125879.htm2013/3/15 10:18:44

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