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d工作时，可存在以下五种情况促使结温不同程度的上升： a、元件不良的电极结构，视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻相互垒加，构成led元件的串联电
http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/7/24/230666.html2011/7/24 17:25:00
使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况，读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22
而激光剥离装置“ux4-leds llo150”用于从蓝宝石(al2o3)基板上剥离氮化镓(gan)膜，实现蓝宝石基板的重复利用
https://www.alighting.cn/news/20110722/115088.htm2011/7/22 10:33:30
7月21日，无锡蓝星电子有限公司和华晶公司合作的led高端芯片生产线开始试生产。这条生产线的投产，填补了我国在高亮度、大功率led外延芯片自主研发、规模化生产领域的空白。这也意味着
https://www.alighting.cn/news/20110722/115255.htm2011/7/22 9:34:48
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
优乐康活性酶从无活性酶转变成有活性酶，是不可逆共价修饰。酶原：活性中心被掩埋在分子的内部或尚未形成，使底物不可接触，需要经过一定的剪切，优乐康活性酶使肽链重新盘绕方能暴露或形成活
http://blog.alighting.cn/whbtylk/archive/2011/7/21/230579.html2011/7/21 17:31:00
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
