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摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

京瓷开发出了在长宽6.4mm×6.4mm的底板上集成32×32个LED的“微矩阵LED”。并在“ceatec 2008”上参考展示了由上述3个微矩阵LED拼接而成的显示器。现在

https://www.alighting.cn/news/20081008/119667.htm2008/10/8 0:00:00

近日，韩国三星LED公司宣布推出五类输出功率超过和低于1w的高、中功率LED新品，借此正式进入LED照明市场。

https://www.alighting.cn/news/20110301/92055.htm2011/3/1 9:21:33

进入2012年，LED产业在经历热发展、冷遭遇和降价潮之后，如何调整自身发展目标和产品战略定位？如何规避“赢在技术、输在商业”的风险？如何有效实现LED上中下游与配套产业的资源整

https://www.alighting.cn/news/20120820/89031.htm2012/8/20 11:19:03

视角360°吸引了电子狂热者的眼光。本项目是通过主控芯片stm32f103,将触摸技术与旋转LED屏幕相结合，可以实现时钟的变换，还可以利用触摸技术在旋转LED上玩一些小游戏[1

https://www.alighting.cn/2013/2/21 10:06:59